Модуль пам'яті для комп'ютера DDR3 4GB 1600 MHz Goodram (GR1600D364L11S/4G)
Швидке замовлення
Залиш телефон — передзвонимо за 10 хвилин, уточнимо деталі замовлення.
DDR3 SDRAM - це третє покоління синхронної динамічної пам'яті з довільним доступом і подвоєною швидкістю передачі даних.
Переваги в порівнянні з DDR2: - Більш висока пропускна здатність (до 19200 МБ / с); - Знижене тепловиділення (результат зменшення напруги живлення); - Менше енергоспоживання та поліпшене енергозбереження.
Модуль пам'яті DDR3 4096Mb GOODRAM (GR1600D364L11/4G) має параметр CL11, що позначає величину латентності, рівну 11. CAS-латентність - перший і найважливіший параметр в таймінгах, означає число тактів, необхідних для видачі даних на шину.
DDR3 4096Mb GOODRAM (GR1600D364L11/4G) - це один модуль пам'яті на 4 Гб. Пам'ять працює з тактовою частотою 1600MHz, і з піковою швидкістю передачі даних 12800МБ / с.
| Виробник | Goodram |
| Модель | DDR3 4GB 1600 MHz |
| Артикул | GR1600D364L11S/4G |
| Тип пам'яті | DDR3 |
| Об'єм пам'яті | 4 ГБ |
| Кількість модулів у наборі | 1 |
| Частота пам'яті | 1600 МГц |
| Таймінги | CL11 |
| Напруга живлення | 1.5 В |
| Охолодження | немає |
| (Збірка) Споживча потужність | 6 Вт |
| Примітка | Поставка товару можлива в ОЕМ-версії. Тобто, товар може поставлятися без супроводжуючих матеріалів і додаткових компонентів, в упаковці без оформлення, що гарантує лише їх безпечне транспортування. |
| Країна виробництва | США |
| Гарантія, міс | 60 |
Модуль пам’яті Goodram DDR3 об’ємом 4 ГБ стане вдалим рішенням для оновлення застарілих настільних комп’ютерів або ноутбуків, які підтримують стандарт DDR3. Він підійде для повсякденних завдань: роботи з документами, вебсерфінгу, перегляду відео або невибагливих ігор. Додавання цього модуля допоможе збільшити продуктивність системи, якщо вона відчуває нестачу оперативної пам’яті.
Модель працює на частоті 1600 МГц із піковою швидкістю передачі даних до 12800 МБ/с, що забезпечує стабільну роботу в більшості сумісних систем. Значення CAS-латентності CL11 є стандартним для цього типу пам’яті. Живлення напругою 1.5 В сприяє помірному енергоспоживанню (до 6 Вт) та зниженому тепловиділенню порівняно з попередніми поколіннями. Це один модуль на 4 ГБ, виготовлений компанією Goodram у США.
